Besides, by using the active biasing circuit (linearizer) for the gate of the FET, the 1dB compression point (CP1dB) can be extended.
除
，通过对第二级FET的门级偏置使用主动式的偏置电路（线性处理
），电路的1dB压缩点（CP1dB）得到了很大的提高。
;
管受精;, 放大;;
金属氧化物半导体;;Besides, by using the active biasing circuit (linearizer) for the gate of the FET, the 1dB compression point (CP1dB) can be extended.
除，通过对第二级FET的门级偏置使用主动式的偏置电路（线性处理），电路的1dB压缩点（CP1dB）得到了很大的提高。
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